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离子源应用于有机材料热蒸镀设备

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详细信息

KRI 离子源应用于有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV
有机金属热沉积系统是一种热蒸发的方式, 用于将有机或金属材料沉积到基板表面上.该过程需要通过控制温度和沉积速率来实现薄膜的和均匀性. 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且 KRI 离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 有机材料热沉积系统使用高热蒸发源作为加热源, 并使用金属, 石英, 陶瓷或 PBN 坩埚来容纳有机材料以及 PID 控制器来控制其沉积速率. 该系统通常用于有机电子研究领域, 例如 OPV, OLED, OPD...
KRI 离子源应用于有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV
------ 有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV -----

上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
KRI射频离子源

射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


联系方式
  • 联系人: 叶南晶 女士
  • 电话: 0755-25473928
  • 手机: 15201951076
  • 地址: 广东省 深圳市 罗湖区鼎丰大厦501
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