半导体扩散炉 氧化炉

设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。    

主要技术指标：

★ 炉管数：1～4管

★ 配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)

★ 恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃)  760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)

★ 单点稳定性： ±1.0℃/24h (300～800℃)    ±0.5℃/24h (800～1280℃)

★ 气源路数：    ≤7路，可配恒温源瓶、氢氧合成点火器

★ 气体控制：    浮子/质量流量计

★ 悬臂舟参数： 速度：    20～1000 mm/min    大行程：2000 mm    定位精度：±1 mm    大载荷：17 Kg

★ 超净工作台： 净化等级：100级（万级厂房）

噪音：    ≤62dB（A）

振动：    ≤3μm
晨立6"新扩散炉设备新鲜出炉,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可完全替代国外同规格产品满足不同工艺的要求.